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描述:
MMDT4401?多芯片晶体管 (Multi-Chip Transistor)
.型号: ??MMDT4401
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描述: 多芯片晶体管
Multi-Chip Transistor
文件大小 : ??458 K????
页数 : 2 页
Logo: ??
品牌 ??SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
购买 : ??
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100%
MMDT4401
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN塑封装
多芯片晶体管
SOT-363
*
特点
功耗。
P
CM
I
CM
: (温度= 25℃)为0.2W
O
.055(1.40)
.047(1.20)
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
8
o
0
o
集电极电流
: 0.6 A
集电极 - 基极vVoltage
V
( BR ) CBO
: 60 V
操作&存储结温
T
j
,T
英镑
: -55 C ~ +150 C
O
O
.053(1.35)
.045(1.15)
.018(0.46)
.010(0.26)
C
2
B
1
E
1
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
E
2
B
2
C
1
.043(1.10)
.035(0.90)
标记: K2X
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
Tamb=25
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
除非另有说明
TEST
条件
60
40
6
0.1
0.1
0.1
20
40
80
100
40
0.4
0.75
0.75
0.95
1.2
250
6.5
15
20
225
30
V
V
V
V
兆赫
pF
nS
nS
nS
nS
300
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
IC = 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,
I
E
=100μA,
I
B
=0
I
C
=0
V
CB
= 50 V,I
E
=0
V
CE
= 35 V,I
B
=0
V
EB
=5V ,
V
CE
=1 V,
V
CE
=1 V,
V
CE
=1 V,
V
CE
=1 V,
V
CE
=2 V,
I
C
=0
I
C
= 0.1毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
S
t
f
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 20mA下
F = 100MHz的
V
CB
=5V,
f=1MHz
V
CC
=30V, V
BE
=2V
I
C
= 150毫安,我
B1
=15mA
V
CC
= 30V ,我
C
=150mA
I
B1
= I
B2
= 15毫安
I
E
= 0
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
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01 -JAN- 2006 Rev.B的
第1页2
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